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        1. 廣東可易亞半導體科技有限公司

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          10n60 9.5A/600V場效應管參數PDF中文資料-半導體原廠-KIA MOS管

          信息來源:本站 日期:2018-10-11 

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          10n60場效應管參數
          場效應管10n60產品特征-KIA10N60H

          可易亞設計了KIA10N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET適用于高電壓、高速度的功率開關應用,如高效率的開關電源。電源,有源功率因數校正,電子鎮流器基于半橋式,以消光。

          1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V

          2、低門電荷(典型的44nC)

          3、快速交換能力

          4、雪崩能量指定值

          5、改進的dv/dt能力

          10n60場效應管參數-KIA10N60H

          產品型號:KIA10N60H

          工作方式:9.5A/600V

          漏源極電壓:600V

          柵源電壓:±30V

          漏電流脈沖:38.0*A

          結溫:+150℃

          貯存溫度:-55℃至150℃

          KIA10N60H標準封裝

          10n60場效應管參數 9.5A/600V

          KIA10N60H電路圖

          10n60場效應管參數 9.5A/600V

          10n60場效應管參數 9.5A/600V

          KIA10N60H產品附件

          以下為KIA10N60H產品PDF格式的產品詳細資料,查看詳情請點擊下圖。

          10n60場效應管參數 9.5A/600V



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